Economía.- El PERTE Chip otorga fondos al proyecto DioSiC para crear alta tecnología de semiconductores 100% española
![ep archivo tecnologia hip de hiperbaric clave para el desarrollo de carburo de silicio ep archivo tecnologia hip de hiperbaric clave para el desarrollo de carburo de silicio](https://img3.s3wfg.com/web/img/images_uploaded/c/7/ep_archivo_-_tecnologia_hip_de_hiperbaric_clave_para_el_desarrollo_de_carburo_de_silicio_780x440.jpg)
MADRID, 5 (EUROPA PRESS) El proyecto DioSiC, un consorcio formado por las empresas españolas Hiperbaric, especializada en tecnologías de altas presiones; Nanoker, fabricante y proveedor español de productos cerámicos nanocompuestos avanzados; y Fagor Electrónica, especializada en soluciones electrónicas y de digitalización, permite investigar en el desarrollo de chips semiconductores cuya materia prima (SiC) será procesada mediante altas presiones isostáticas (del inglés Hot Isostatic Pressing, HIP) dentro del PERTE de Microelectrónica y Semiconductores, conocido como PERTE Chip.